BJT vs IGBT
BJT (Bipolar Junction Transistor) dan IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) adalah dua jenis transistor yang digunakan untuk mengontrol arus. Kedua perangkat memiliki sambungan PN dan berbeda dalam struktur perangkat. Meskipun keduanya adalah transistor, keduanya memiliki perbedaan karakteristik yang signifikan.
BJT (Bipolar Junction Transistor)
BJT adalah jenis transistor yang terdiri dari dua PN junction (persimpangan yang dibuat dengan menghubungkan semikonduktor tipe p dan semikonduktor tipe n). Kedua junction ini dibentuk dengan menghubungkan tiga buah semikonduktor dengan urutan P-N-P atau N-P-N. Oleh karena itu, tersedia dua jenis BJT, yang dikenal sebagai PNP dan NPN.
Tiga elektroda dihubungkan ke tiga bagian semikonduktor ini dan ujung tengah disebut 'basis'. Dua persimpangan lainnya adalah 'emitor' dan 'kolektor'.
Dalam BJT, arus kolektor emitor besar (Ic) dikendalikan oleh arus basis emitor kecil (IB), dan sifat ini dimanfaatkan untuk merancang amplifier atau sakelar. Oleh karena itu, dapat dianggap sebagai perangkat yang digerakkan arus. BJT banyak digunakan di rangkaian amplifier.
IGBT (Transistor Bipolar Gerbang Terisolasi)
IGBT adalah perangkat semikonduktor dengan tiga terminal yang dikenal sebagai 'Emitter', 'Collector' dan 'Gate'. Ini adalah jenis transistor, yang dapat menangani jumlah daya yang lebih tinggi dan memiliki kecepatan switching yang lebih tinggi sehingga sangat efisien. IGBT telah diperkenalkan ke pasar pada tahun 1980-an.
IGBT memiliki fitur gabungan dari MOSFET dan transistor sambungan bipolar (BJT). Ini digerakkan oleh gerbang seperti MOSFET dan memiliki karakteristik tegangan arus seperti BJT. Oleh karena itu, ia memiliki keuntungan dari kemampuan penanganan arus yang tinggi, dan kemudahan kontrol. Modul IGBT (terdiri dari beberapa perangkat) menangani daya kilowatt.
Perbedaan antara BJT dan IGBT
1. BJT adalah perangkat yang digerakkan arus, sedangkan IGBT digerakkan oleh tegangan gerbang
2. Terminal IGBT dikenal sebagai emitor, kolektor dan gerbang, sedangkan BJT terbuat dari emitor, kolektor dan basis.
3. IGBT lebih baik dalam penanganan daya daripada BJT
4. IGBT dapat dianggap sebagai kombinasi dari BJT dan FET (Field Effect Transistor)
5. IGBT memiliki struktur perangkat yang kompleks dibandingkan dengan BJT
6. BJT memiliki sejarah panjang dibandingkan dengan IGBT
