IGBT vs Thyristor
Thyristor dan IGBT (Transistor Bipolar Gerbang Terisolasi) adalah dua jenis perangkat semikonduktor dengan tiga terminal dan keduanya digunakan untuk mengontrol arus. Kedua perangkat memiliki terminal pengontrol yang disebut 'gerbang', tetapi memiliki prinsip operasi yang berbeda.
Thyristor
Thyristor terbuat dari empat lapisan semikonduktor bolak-balik (dalam bentuk P-N-P-N), oleh karena itu, terdiri dari tiga sambungan PN. Dalam analisis, ini dianggap sebagai sepasang transistor yang digabungkan secara erat (satu PNP dan lainnya dalam konfigurasi NPN). Lapisan semikonduktor tipe P dan N terluar masing-masing disebut anoda dan katoda. Elektroda yang terhubung ke lapisan semikonduktor tipe P bagian dalam dikenal sebagai 'gerbang'.
Dalam operasi, thyristor bertindak konduksi ketika pulsa diberikan ke gerbang. Ini memiliki tiga mode operasi yang dikenal sebagai 'mode pemblokiran terbalik', 'mode pemblokiran maju' dan 'mode konduksi maju'. Setelah gerbang dipicu dengan pulsa, thyristor beralih ke 'mode konduksi maju' dan terus berjalan hingga arus maju menjadi kurang dari ambang batas 'arus penahan'.
Thyristor adalah perangkat daya dan sebagian besar digunakan dalam aplikasi yang melibatkan arus dan tegangan tinggi. Aplikasi thyristor yang paling banyak digunakan adalah pengontrolan arus bolak-balik.
Transistor Bipolar Gerbang Terisolasi (IGBT)
IGBT adalah perangkat semikonduktor dengan tiga terminal yang dikenal sebagai 'Emitter', 'Collector' dan 'Gate'. Ini adalah jenis transistor, yang dapat menangani jumlah daya yang lebih tinggi dan memiliki kecepatan switching yang lebih tinggi sehingga sangat efisien. IGBT telah diperkenalkan ke pasar pada tahun 1980-an.
IGBT memiliki fitur gabungan dari MOSFET dan transistor sambungan bipolar (BJT). Ini digerakkan oleh gerbang seperti MOSFET dan memiliki karakteristik tegangan arus seperti BJT. Oleh karena itu, ia memiliki keuntungan dari kemampuan penanganan arus tinggi dan kemudahan kontrol. Modul IGBT (terdiri dari beberapa perangkat) menangani kilowatt daya.
Singkatnya:
Perbedaan Antara IGBT dan Thyristor
1. Tiga terminal IGBT dikenal sebagai emitor, kolektor dan gerbang, sedangkan thyristor memiliki terminal yang dikenal sebagai anoda, katoda dan gerbang.
2. Gerbang thyristor hanya membutuhkan pulsa untuk berubah menjadi mode konduksi, sedangkan IGBT membutuhkan suplai tegangan gerbang yang terus menerus.
3. IGBT adalah jenis transistor, dan thyristor dianggap sebagai pasangan transistor yang berpasangan erat dalam analisis.
4. IGBT hanya memiliki satu PN junction, dan thyristor memiliki tiga di antaranya.
5. Kedua perangkat digunakan dalam aplikasi daya tinggi.
