IGBT vs GTO
GTO (Gate Turn-off Thyristor) dan IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) adalah dua jenis perangkat semikonduktor dengan tiga terminal. Keduanya digunakan untuk mengontrol arus dan untuk tujuan switching. Kedua perangkat memiliki terminal pengontrol yang disebut 'gerbang', tetapi memiliki prinsip operasi yang berbeda.
GTO (Gate Turn-off Thyristor)
GTO terbuat dari empat lapisan semikonduktor tipe P dan tipe N, dan struktur perangkatnya sedikit berbeda dibandingkan dengan thyristor normal. Dalam analisis, GTO juga dianggap sebagai pasangan transistor yang digabungkan (satu PNP dan lainnya dalam konfigurasi NPN), sama seperti untuk thyristor normal. Tiga terminal GTO disebut 'anoda', 'katoda' dan 'gerbang'.
Dalam operasi, thyristor bertindak konduksi ketika pulsa diberikan ke gerbang. Ini memiliki tiga mode operasi yang dikenal sebagai 'mode pemblokiran terbalik', 'mode pemblokiran maju' dan 'mode konduksi maju'. Setelah gerbang dipicu dengan pulsa, thyristor beralih ke 'mode konduksi maju' dan terus berjalan hingga arus maju menjadi kurang dari ambang batas 'arus penahan'.
Selain fitur thyristor normal, status GTO 'mati' juga dapat dikontrol melalui pulsa negatif. Dalam thyristor normal, fungsi 'mati' terjadi secara otomatis.
GTO adalah perangkat daya, dan sebagian besar digunakan dalam aplikasi arus bolak-balik.
Transistor Bipolar Gerbang Terisolasi (IGBT)
IGBT adalah perangkat semikonduktor dengan tiga terminal yang dikenal sebagai 'Emitter', 'Collector' dan 'Gate'. Ini adalah jenis transistor yang dapat menangani jumlah daya yang lebih tinggi dan memiliki kecepatan switching yang lebih tinggi sehingga sangat efisien. IGBT telah diperkenalkan ke pasar pada tahun 1980-an.
IGBT memiliki fitur gabungan dari MOSFET dan transistor sambungan bipolar (BJT). Ini digerakkan oleh gerbang seperti MOSFET dan memiliki karakteristik tegangan arus seperti BJT. Oleh karena itu ia memiliki keuntungan dari kedua kemampuan penanganan arus tinggi dan kemudahan kontrol. Modul IGBT (terdiri dari beberapa perangkat) menangani daya kilowatt.
Apa perbedaan antara IGBT dan GTO?
1. Tiga terminal IGBT dikenal sebagai emitor, kolektor dan gerbang, sedangkan GTO memiliki terminal yang dikenal sebagai anoda, katoda dan gerbang.
2. Gerbang GTO hanya membutuhkan pulsa untuk switching, sedangkan IGBT membutuhkan suplai tegangan gerbang yang kontinu.
3. IGBT adalah jenis transistor dan GTO adalah jenis thyristor, yang dapat dianggap sebagai pasangan transistor yang berpasangan erat dalam analisis.
4. IGBT hanya memiliki satu PN junction, dan GTO memiliki tiga di antaranya
5. Kedua perangkat digunakan dalam aplikasi daya tinggi.
6. GTO membutuhkan perangkat eksternal untuk mengontrol turn-off dan on pulse, sedangkan IGBT tidak membutuhkannya.
